1、蒸鍍工藝方式的選擇

　　熱電阻蒸鍍與電子束蒸鍍是常見的蒸發鍍膜方式，其中熱電阻蒸鍍的原理是通過電流加熱蒸發蒸發舟上的原料，而電子束蒸鍍的原理是通過電子束加熱蒸發水冷坩堝上的原料。

　　熱電阻蒸鍍的優點在于設備簡單、價格低、可靠性較高，對原料預熱充分，不容易導致化合物原料分解，其缺點在于能達到的溫度不高，加熱器使用壽命不長。

　　電子束蒸鍍的優點在于能達到的溫度更高，蒸發速度快，但缺點是難以有效控制電流，容易導致低熔點材料快速蒸發，且電子束能量多被水冷系統帶走，熱效率低，電子束轟擊還容易造成化合物原料的分解，坩堝存在污染原料的可能性，另外會產生對人體有害的X射線。

　　因此在具體的真空鍍膜生產工作中，我們可以根據以上分析來選擇適宜的蒸發鍍設備和工藝方式，例如MgF2的熔點只有1261℃，考慮到熔點低如選用電子束蒸鍍很難控制預蒸鍍時間和電流，容易蒸鍍不均勻且產生殘留原料，原料也易受坩堝的污染。因而更適合使用熱電阻蒸鍍的方式，可以調節電流來充分預蒸鍍，先消除原料中的雜質，避免直接蒸鍍原料受熱不均導致的噴濺，進而能夠保證蒸鍍的穩定性和均勻性。

　　2、蒸鍍時間與溫度的控制

　　蒸發鍍的實際工作經驗告訴我們，原料充足情況下鍍膜厚度與蒸鍍時間呈線性關系，這表明高真空情況下蒸鍍速率比較均勻。而基片的溫度，通常對鍍膜厚度影響不大，其原因在于高真空環境下分子間碰撞很小，蒸發分子遇基片表面迅速凝結。因此如MgF2原料的蒸鍍基片溫度通常保持60℃即可。

　　3、原料狀態的影響

　　不同的原料狀態可能會對蒸鍍過程造成較大的影響。實驗研究成果表明：

　　在蒸鍍條件一致的前提下，粉末狀的原料狀態結構松散，原料內的水與空氣較多，實際蒸鍍前應充分溶解原料，原料質量損失相對較大，光照度較差;多晶顆粒的原料狀態由于生產過程已經除氣脫水，結構均勻致密，實際蒸鍍前原料質量損失相對較小，光照度較好。

　　實際蒸鍍中我們發現，單晶原料蒸鍍的薄膜組成形式為大分子團，冷卻后形成大顆粒柱狀結構，薄膜結構疏松，耐磨性差，而多晶原料薄膜為小分子沉積，更適宜于用作蒸鍍原料。

　　4、蒸發源與基片間距的影響

　　蒸發源與基片間距會對薄膜均勻性等造成一定影響，根據實際鍍膜經驗，蒸發源與基片間距較小的情況下，薄膜厚度相對更大，均勻性也相對更好。因此在實際鍍膜生產中，我們需要考慮如何合理調整蒸發源與基片的間距，確保各區域的基片與蒸發源間距Z佳。